美国又一重大科技亮相，集成300亿晶体管，颠覆芯片摩尔定律

　　全球芯片步入了瓶颈阶段，目前7nm工艺集成69亿晶体管已经相当不容易。事实上华为高通苹果的芯片都集成了几十亿晶体管，但是随着5nm工艺的投产，预计晶体管的数量最多只能上升一倍左右。如果要提升芯片性能，则需要增加CPU体积容纳更多的晶体管，但这对于空间要求严苛的智能手机来说，几乎不太可能做到。
       

　　更重要的一点是，通过简单堆积晶体管数量，往往会大幅增大芯片能耗，对于续航体验有较大的影响。好消息是，美国IBM公司早前发明了一种全新的晶体管组装方式，5nm工艺前提下，可以在极小的面积内集成300亿个晶体管，理论上可以提升5倍性能，并且降低80%的能耗，即便是小电池手机，也能够获得更好的续航表现。
       

　　据悉，该技术采用了全新的硅纳米片堆叠技术，创造出了另一种晶体管的基础结构，这种结构使用了全新的形状和材料。此类结构可以堆叠多层的纳米片容纳更多的晶体管，从而获得更大的Weff，让更多电流通过，大大提高了芯片的运算效率。有业内人士指出，这种新型芯片结构突破了摩尔定律限制，通过有效集成更多的晶体管，可能实现CPU性能数十倍的提升。